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SIA415DJ-T1-GE3
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SIA415DJ-T1-GE3 , Vishay Intertech

Fabricant: Vishay Intertech
No de pièce du fabricant: SIA415DJ-T1-GE3
Paquet: PowerPAK SC-70-6
RoHS:
Fiche technique:

PDF For SIA415DJ-T1-GE3

Description:
MOSFET P Trench 20V 12A 1.5V @ 250uA 35 mΩ @ 5.6A,4.5V PowerPAK SC-70-6 RoHS
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Vishay Intertech
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 12A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 3.5W
Rds On - Drain-Source Resistance 35mΩ @ 5.6A,4.5V
Package / Case PowerPAK SC-70-6
Packaging Tape & Reel (TR)
Transistor Polarity P Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 1.5V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20V
Références croisées
4614436
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=4614436&N=
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