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IRFBC30A
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IRFBC30AS , Vishay / Siliconix

Fabricant: Vishay / Siliconix
No de pièce du fabricant: IRFBC30AS
Paquet:
RoHS:
Fiche technique:

PDF For IRFBC30AS

Description:
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Demande de devis In Stock: 40654
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Spécifications techniques du produit
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 600 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±30V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Références croisées
11943520
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11943520&N=
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